Список веществ по алфовитy а б в г д е ж з и к л м н п р с т у ф х ц ч ш э ю я

Кремния оксид


КРЕМНИЯ ОКСИД SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С; для газа: C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0обр - 100,000 кДж/моль, S0296 211,489 Дж/(моль.К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx-1, (плота. 2,15 г/см3) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед.конденсацией аморфного SiOx  св-ва к-рого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiOx распадается на кластеры из Si и SiO2, содержащие До 1020 см-3 парамагнитных центров. Кремния оксид не имеет определенных т-р плавления и кипения, DH0исп 240-380 кДж/моль. Оптич. св-ва SiOx зависят от скорости конденсации, остаточного давления О2 и др. факторов; коэф. поглощения 0,02 (l=700 нм)-0,20 (l=400 нм); показатель преломления в видимой области 1,5-3,8. Структура SiOx удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-SiyO4-y (у=1,2,3), статистич. веса к-рых зависят от величины х. При нагр. на воздухе кремния оксид частично окисляется; при 500 °С взаимод. с парами воды и СО2, выделяя соотв. Н2 и СО; при 800 °С реагирует с Сl2, давая SiCl4.Кремния оксид образуется при восстановлении SiO2 кремнием. С, Н2, углеводородами, окислении Si при недостатке О2, диссоциации SiO2 выше 1800°С. Газообразныйкремния оксид обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с О2, в продуктах взаимод. паров Si с N2O. Кремния оксид -материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме О2. Образующийся при термич. окислении Si слой (между Si и пленкой SiO2) состава SiOx  толщиной до 1 нм определяет электрофиз. параметры структур SiO2-Si.